| 스크린 유형: | 7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 8개의 고무 막 반투명 열쇠, 생활 ≥1 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 16MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 끼워넣는 또는 잘 고정된 |
| 스크린 유형: | 5.7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 11의 실리콘 반투명 열쇠, 인코더 손잡이 생활 ≥1 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 플러그 접속식 |
| 스크린 유형: | 5.7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 11의 실리콘 반투명 열쇠, 인코더 손잡이 생활 ≥1 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 선체 밖 |
| 스크린 유형: | 5.7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 14의 막 열쇠, 서비스 기간 ≥500 천 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 선체 밖 |
| 스크린 유형: | 5.7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 6개의 실리콘 반투명 열쇠, 생활 ≥1 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 끼워넣는 또는 밖으로 세포 |
| 스크린 유형: | 4.3" TFT + LED 빛 |
|---|---|
| 단추 통제: | 통과시키는 4 실리콘 단추를 점화하기 위하여 |
| 프로그램 공간: | 64KB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 256B 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 밖으로 세포 |
| 스크린 유형: | 5.7" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 11의 실리콘 반투명 열쇠, 인코더 손잡이 생활 ≥100 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 1MB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 128KB 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
| 임명 방법: | 옆 산 |
| 스크린 유형: | 4.3" TFT |
|---|---|
| 단추 통제: | 통과시키는 16 실리콘 단추, 서비스 기간 ≥1를 점화하기 위하여 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 64KB 섬광 |
| 기억 장소 공간: | 4KB 렘 + 8KB EEPROM + 256KB SRAM |
| 임명 방법: | 끼워넣으십시오/밖으로 세포 |
| 가공업자: | 끼워넣어진 소형 처리기 + FPGA, 시간을 잰 16MHz |
|---|---|
| 스크린 유형: | 3.8" LCD (블루 스크린 역광선) + LED 빛 |
| 단추 통제: | 7개의 필름 단추, 서비스 기간 ≥500 천 시간 |
| 프로그램 공간: | 64KB 섬광 |
| 기억 장소 공간: | 8KB EEPROM + 256B 렘 |
| 가공업자: | 끼워넣어진 소형 처리기 + FPGA, 시간을 잰 16MHz |
|---|---|
| 스크린 유형: | 5" TFT |
| 단추 통제: | 4개의 실리콘 반투명 열쇠, 서비스 기간 ≥1 백만 시간 |
| 프로그램 공간: | 64KB 섬광 + 8MB NorFlash |
| 기억 장소 공간: | 256B 렘 + 8KB EEPROM + 1MB SRAM |
